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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9965684-005.A00G 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
26
读取速度,GB/s
2,909.8
14.9
写入速度,GB/s
1,519.2
9.6
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2652
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
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