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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
2,909.8
16.7
写入速度,GB/s
1,519.2
12.0
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3133
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
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