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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston KHX21334D4/8G 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.2
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
2,909.8
11.2
写入速度,GB/s
1,519.2
6.2
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
1914
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
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Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
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