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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
2,909.8
18.2
写入速度,GB/s
1,519.2
14.8
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3038
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Jinyu 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
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