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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston X5H5PW-MIB 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
46
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
23
读取速度,GB/s
2,909.8
16.9
写入速度,GB/s
1,519.2
12.5
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3018
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
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Kingston XRGM6C-MIE 16GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
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