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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
26
读取速度,GB/s
2,909.8
14.2
写入速度,GB/s
1,519.2
7.3
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2013
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
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