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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.8
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
26
读取速度,GB/s
2,909.8
12.5
写入速度,GB/s
1,519.2
10.8
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2693
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
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