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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
46
左右 -142% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.8
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
19
读取速度,GB/s
2,909.8
19.3
写入速度,GB/s
1,519.2
13.8
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3169
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
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G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
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