RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation M424016 4GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Panram International Corporation M424016 4GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Panram International Corporation M424016 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation M424016 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 -48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation M424016 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
31
读取速度,GB/s
2,909.8
12.6
写入速度,GB/s
1,519.2
9.9
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2035
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB RAM的比较
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation M424016 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link