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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
56
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.5
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
56
读取速度,GB/s
2,909.8
9.5
写入速度,GB/s
1,519.2
7.9
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2294
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
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