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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
63
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
32
读取速度,GB/s
3,231.0
14.8
写入速度,GB/s
1,447.3
8.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2533
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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