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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
比较
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
总分
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
12.8
16.3
写入速度,GB/s
8.6
15.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2239
3205
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
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