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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
53
左右 -121% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.8
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
24
读取速度,GB/s
3,726.4
18.6
写入速度,GB/s
1,590.1
15.8
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3800
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
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