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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
46
左右 -24% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
37
读取速度,GB/s
2,909.8
13.9
写入速度,GB/s
1,519.2
9.9
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2389
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
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Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
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Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
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