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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
60
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
2
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
3200
左右 8 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
60
读取速度,GB/s
2,909.8
14.9
写入速度,GB/s
1,519.2
12.0
内存带宽,mbps
3200
25600
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2511
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
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