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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
60
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
3200
Rund um 8 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
12.0
Speicherbandbreite, mbps
3200
25600
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2511
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
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G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
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