Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

总分
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

总分
star star star star star
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    2 left arrow 13.2
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    29 left arrow 46
    左右 -59% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    8.9 left arrow 1,519.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 3200
    左右 5.31 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    46 left arrow 29
  • 读取速度,GB/s
    2,909.8 left arrow 13.2
  • 写入速度,GB/s
    1,519.2 left arrow 8.9
  • 内存带宽,mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    241 left arrow 2284
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较