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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
46
左右 -24% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.9
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
37
读取速度,GB/s
2,909.8
10.4
写入速度,GB/s
1,519.2
7.9
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2230
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
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