Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 10.4

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 46

Около -24% меньшая задержка
Выше скорость записи

7.9 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 3200

Около 5.31 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 37
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 10.4
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 17000

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 2230

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB

Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB

Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB

Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB

Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB

Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Kingston 9905702-204.A00G 8GB

Kingston 9905702-204.A00G 8GB

модули RAM