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Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
比较
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
总分
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
总分
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,096.4
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
60
左右 -62% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
37
读取速度,GB/s
4,168.7
16.3
写入速度,GB/s
2,096.4
11.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3294
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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