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Samsung M3 78T5663QZ3-CE7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
比较
Samsung M3 78T5663QZ3-CE7 2GB vs Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
Samsung M3 78T5663QZ3-CE7 2GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663QZ3-CE7 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
57
65
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
2,451.8
2,183.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663QZ3-CE7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
57
65
读取速度,GB/s
4,746.6
4,605.9
写入速度,GB/s
2,183.1
2,451.8
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
878
Samsung M3 78T5663QZ3-CE7 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
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