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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
60
左右 -161% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
23
读取速度,GB/s
4,595.2
17.5
写入速度,GB/s
2,168.2
14.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3260
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
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