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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
60
左右 -82% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
33
读取速度,GB/s
4,595.2
16.6
写入速度,GB/s
2,168.2
13.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3122
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
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