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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
60
左右 -107% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
29
读取速度,GB/s
4,595.2
18.3
写入速度,GB/s
2,168.2
14.2
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3330
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
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