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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
60
左右 -50% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
40
读取速度,GB/s
4,595.2
15.6
写入速度,GB/s
2,168.2
12.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2772
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
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Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
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