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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
45
47
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.9
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
8.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
47
45
读取速度,GB/s
11.8
11.9
写入速度,GB/s
8.0
8.1
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2077
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965667-001.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
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