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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
60
左右 -173% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.6
2,168.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
22
读取速度,GB/s
4,595.2
15.1
写入速度,GB/s
2,168.2
7.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2268
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB RAM的比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
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