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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
60
左右 -122% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
27
读取速度,GB/s
4,595.2
16.2
写入速度,GB/s
2,168.2
12.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2902
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
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SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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