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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
55
60
左右 -9% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
55
读取速度,GB/s
4,595.2
21.0
写入速度,GB/s
2,168.2
11.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2457
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-018.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
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