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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
60
左右 -161% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
23
读取速度,GB/s
4,595.2
19.1
写入速度,GB/s
2,168.2
17.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3666
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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