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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
60
左右 -114% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
28
读取速度,GB/s
4,595.2
18.2
写入速度,GB/s
2,168.2
14.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3463
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
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