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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
60
左右 -150% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
24
读取速度,GB/s
4,595.2
15.7
写入速度,GB/s
2,168.2
11.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2631
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
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