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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905702-150.A00G 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
60
左右 -186% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
21
读取速度,GB/s
4,595.2
18.5
写入速度,GB/s
2,168.2
14.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3331
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
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