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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
60
左右 -67% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
36
读取速度,GB/s
4,595.2
14.2
写入速度,GB/s
2,168.2
11.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2462
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
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Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
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