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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
60
左右 -140% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
25
读取速度,GB/s
4,595.2
13.4
写入速度,GB/s
2,168.2
11.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2825
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
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