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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
60
左右 -186% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
21
读取速度,GB/s
4,595.2
17.9
写入速度,GB/s
2,168.2
13.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3167
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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