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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
60
左右 -82% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
33
读取速度,GB/s
4,595.2
15.1
写入速度,GB/s
2,168.2
11.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3224
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
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