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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
45
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
24
读取速度,GB/s
11.9
16.6
写入速度,GB/s
8.1
12.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2969
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
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