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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
60
65
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
8.5
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.8
2,168.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
65
读取速度,GB/s
4,595.2
8.5
写入速度,GB/s
2,168.2
5.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
1981
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB RAM的比较
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
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G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
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