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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
60
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.9
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.8
2,168.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
39
读取速度,GB/s
4,595.2
8.9
写入速度,GB/s
2,168.2
6.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2011
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB RAM的比较
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
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Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
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