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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
60
左右 -131% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
26
读取速度,GB/s
4,595.2
13.2
写入速度,GB/s
2,168.2
14.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3068
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
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