Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Punteggio complessivo
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Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 13.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,168.2 left arrow 14.4
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 60
    Intorno -131% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 5300
    Intorno 3.21 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    60 left arrow 26
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,595.2 left arrow 13.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,168.2 left arrow 14.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    941 left arrow 3068
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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