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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
65
左右 -160% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
25
读取速度,GB/s
4,806.8
15.6
写入速度,GB/s
2,784.6
11.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
3038
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
OCZ OCZ2P800R21G 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
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