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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
65
左右 -124% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
29
读取速度,GB/s
4,806.8
18.0
写入速度,GB/s
2,784.6
14.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
3637
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-033.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Mushkin 994083 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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