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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
65
左右 -81% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
36
读取速度,GB/s
4,806.8
15.7
写入速度,GB/s
2,784.6
12.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
3032
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
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NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
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