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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
65
左右 -76% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
37
读取速度,GB/s
4,806.8
14.2
写入速度,GB/s
2,784.6
10.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2591
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
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