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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston 9905713-030.A00G 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
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更快的读取速度,GB/s
15.6
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
30
读取速度,GB/s
10.6
15.6
写入速度,GB/s
6.8
11.1
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2921
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
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