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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razões a considerar
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
11.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2921
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
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