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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
65
左右 -86% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
2,784.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
35
读取速度,GB/s
4,806.8
15.1
写入速度,GB/s
2,784.6
9.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2502
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
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