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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
65
左右 -117% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
23400
6400
左右 3.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
30
读取速度,GB/s
4,806.8
16.0
写入速度,GB/s
2,784.6
12.3
内存带宽,mbps
6400
23400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2709
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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