Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

总分
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

总分
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    4 left arrow 16
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    2,784.6 left arrow 12.3
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    30 left arrow 65
    左右 -117% 更低的延时
  • 更高的内存带宽,mbps
    23400 left arrow 6400
    左右 3.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    65 left arrow 30
  • 读取速度,GB/s
    4,806.8 left arrow 16.0
  • 写入速度,GB/s
    2,784.6 left arrow 12.3
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 23400
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    932 left arrow 2709
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较